|
|
 | |  |
| Главная » 2009 » Декабрь » 21 » Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения
19:09 Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения |
Intel заявила об успешном изготовлении полевого транзистора с
использованием индий-галлий-арсенида (InGaAs) на кремниевой подложке
путём интегрирования затвора с высокой диэлектрической постоянной.
Изолятор с высоким значением этого параметра позволяет уменьшить
толщину оксида затвора без последствий в виде роста утечек зарядов.
Получившийся комплексный полупроводниковый элемент с квантовыми ямами
(quantum-well FET, QFET; квантовая яма – это структура, где частицы
ограничены одной координатой) продемонстрировал высокие скорость
переноса и ток возбуждения, что делает архитектуру InGaAs-on-Si
привлекательным решением, но масштаб элементов должен быть снижен перед
коммерциализацией технологии.
По словам вице-президента Technology and Manufacturing Group и
директора подразделения исследований компонентов в Intel Labs Майка
Мэйберри (Mike Mayberry), длина затвора составляет 40 нм, однако
контакты по-прежнему большие. Следующая задача заключается в их
уменьшении, что минимизирует барьер между металлическими контактами и
квантовой ямой. Intel более трёх лет работает над составными
полупроводниками с целью интегрирования быстродействующих
InGaAs-транзисторов на кремниевых подложках. Были преодолены несколько
препятствий на пути к коммерциализации полупроводников класса III-V (с
элементами соответствующих групп периодической таблицы), включая
возможность объединения транзисторов из кремния и InGaAs на одном
кристалле и создание элементов p- и n-типа.
Чипмейкер
разработал диэлектрик с высоким значением диэлектрической постоянной
(high-k dielectric), отличный от материала, используемого в кремниевых
транзисторах. В новом high-k-материале используется комплексная
структура из 4-нм слоя тантала и оксида кремния на 2-нм запирающем слое
из индий-фосфора. Чтобы получить высокую мобильность переноса в QFET,
два материала буферного слоя – индий-алюминий-арсенид и индий-фосфор –
были размещены между диэлектриком и квантовой ямой. Мэйберри уверен,
что транзисторы класса III-V могут начать вытеснять традиционные
кремниевые технологии с 2015 года, но только если задачи интеграции
будут решены. В противном случае такие элементы всё равно станут
кандидатами на совмещение с кремнием для специализированных областей,
таких как фотонные устройства и транзисторы для периферийной поддержки
работы чипа.
|
|
Категория: Технологии |
Просмотров: 741 |
Добавил: SARGE
|
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи. [ Регистрация | Вход ] | |
 | |  |
|
| Статистика сайта |
 | Комментарии: 354
Форум: 1233/3093
Новости: 423
Файлы: 136
Статей: 125
|  |
 |
| Информация |
| Ведётся набор писателей статей писать мне в ЛС или на форуме
За каждые 10 нормальных статей даю 7мизначный номер ICQ
Статьи можно копированные... | |
|
|
